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这款碳化硅场效应管（MOSFET）具有高达120A的电流处理能力（ID/A），耐压特性为650V（VDSS/V），并且拥有低至15毫欧的导通电阻（RDSON/mR）。其设计支持15V的栅源电压（VGS/V），作为N沟道类型，适用于高性能开关电源、太阳能逆变器等需要高效能转换的应用领域，可以有效降低能耗，提高系统的功率密度和可靠性。
