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这款N沟道碳化硅场效应管（MOSFET）具有29A的连续电流ID/A能力，适用于多种电子设计。其耐压值VDSS/V为650V，确保在高压条件下稳定运行。导通状态下的电阻RDSON/mΩ为60毫欧，有助于降低功耗。该MOSFET设计有固定的栅源电压VGS/V为15V，便于集成到需要快速开关特性的电路中，例如精密的电源管理解决方案或是便携式电子设备的充电管理模块。