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这款N沟道碳化硅场效应管（MOSFET）具有36A的连续排水电流（ID），并且能够承受高达1200V的漏源电压（VDSS）。其导通电阻（RDSON）为80毫欧，有助于减少导通状态下的功率损耗。栅源电压（VGS）为20V，提供稳定的开关性能。适用于需要高压和较高效率的应用领域，例如高频逆变器、不间断电源系统以及精密的电源供应单元。
