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此款N沟道碳化硅场效应管（MOSFET）具有29A的最大导通电流（ID），适用于需要高效能电流处理的应用。其漏源电压（VDSS）最高可达650V，适合用于需要承受较高电压的工作环境中。导通电阻（RDSON）为60毫欧，有助于降低系统功耗并提高整体效率。栅源电压（VGS）的最大值为15V，提供了可靠的栅极驱动范围。凭借这些特性，此MOSFET是高频开关电源以及其他需要紧凑设计与高性能表现的电路解决方案中的理想选择。
