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这款N沟道碳化硅场效应管（MOSFET）提供120A的最大连续漏极电流，能够承受650V的漏源电压。其低至15mΩ的导通电阻有助于减少功率损耗并提高效率。栅源电压为15V，确保了良好的驱动特性。适用于需要高效能和高稳定性的电力转换应用，如电源供应器、逆变装置等领域，满足对电气性能有严格要求的各种电子系统需求。