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此款N沟道碳化硅场效应管（MOSFET）设计用于高压应用，具备6安培（ID）的最大电流承载能力和1700伏特（VDSS）的阻断电压。其导通状态下的电阻（RDSON）为700毫欧，适合于需要高电压隔离和低导通损耗的场合。工作栅源电压（VGS）的范围从-4伏特到!8伏特，提供了宽泛的驱动兼容性。该器件特别适用于需要高电压稳定性及高频操作的电力转换解决方案中，如电信设备的电源管理或消费电子产品中的高压处理单元。