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这款碳化硅场效应管(MOSFET)为N沟道类型，具有出色的电气性能。其最大漏极电流可达117A，支持高达1200V的漏源电压，确保了在高压环境下的稳定运行。导通电阻仅为33mΩ，有效降低能耗并提高效率。栅源电压范围从-4V至!8V，提供广泛的驱动兼容性。该产品适用于需要高效能、高可靠性的电力转换场景，如可再生能源系统或高性能电源供应装置中，能够满足对尺寸紧凑同时要求高性能的应用需求。