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这款碳化硅场效应管（MOSFET）属于N沟道类型，其最大导通电流（ID）为32A，能够承受的最大漏源电压（VDSS）为1200V。在导通状态下的典型导通电阻（RDSON）为75毫欧（mΩ），适用于需要高电压及低损耗的应用场景。栅源电压（VGS）的最大值为15V，确保了可靠的开关性能。此器件适用于高频开关电源、逆变器以及其他需要高性能功率转换的场合，能够在保证效率的同时减少能量损失。
