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这款N沟道碳化硅场效应管（MOSFET）支持36安培的连续漏极电流（ID），并能承受高达1200伏特的漏源电压（VDSS）。其导通电阻为80毫欧姆（RDON），有助于降低功耗和提高效率。该产品工作时可接受的最大栅源电压（VGS）为20伏特，适合应用于需要高耐压及良好热性能的电力电子设备中，如高效电源转换器、逆变器等场景，以确保系统运行稳定可靠。
