-------<点击了解更多 + 购买>-------
这款碳化硅场效应管（MOSFET）属于N沟道类型，具备72安培的持续漏极电流能力（ID），支持高达1700伏特的漏源电压（VDSS）。其导通电阻仅为45毫欧姆（RDON），有助于减少能量损耗并提高效率。该器件能够承受最大20伏特的栅源电压（VGS），适用于要求高性能与高可靠性的电子电路中。由于其卓越的电气特性，非常适合需要高效能转换和低功耗的应用场景。
