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这款N沟道碳化硅场效应管(MOSFET)具有650V的击穿电压（VDSS），适用于需要中等电压等级下的高效电力控制。其最大连续漏极电流为120A（ID），确保了在高负载条件下的稳定运行。该器件拥有低至15mΩ的导通电阻（RDON），有助于减少能量损耗，提高系统效率。栅源电压范围达到±15V（VGS），支持广泛的驱动电路设计。此MOSFET适合应用于追求高性能与小型化的电源转换场合。
