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该款碳化硅场效应管（MOSFET）属于N沟道类型，设计有5A（ID/A）的最大导通电流能力，并且能够在高达1700V（VDSS/V）的电压环境下正常运作。其导通电阻（RDSON/mR）为1000毫欧，适合应用于需要高压和可靠性能的领域。器件支持20V（VGS/V）的栅源电压，便于集成到多种电路设计方案中，如高电压直流转换器、太阳能逆变系统以及消费电子产品中的高压处理模块等。