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这款N沟道碳化硅场效应管（MOSFET）具有97A的电流处理能力（ID/A），并且能够承受高达650V的电压（VDSS/V）。其导通电阻（RDSON/mR）为25毫欧，有助于降低热损耗。栅源电压（VGS/V）工作范围从-5V到@0V，使得它在多种电路条件下都能可靠运行。该器件适用于需要高效能和稳定性的应用领域，比如精密的电源管理系统、不间断电源装置以及消费类电子产品中的电力转换部分。
