-------<点击了解更多 + 购买>-------
这款N沟道碳化硅场效应管（MOSFET）具有高达115A的连续电流（ID）承载能力，并能在断态下承受最大1200V（VDSS）的电压。其低导通电阻（RDSON）仅为16毫欧，有效降低了导通状态下的功率损耗。器件设计支持最高15V的栅源驱动电压（VGS），适用于要求高性能、高效率及高压操作的电子设备，例如在高频开关电源或可再生能源系统中的电力调节模块。
