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这款N沟道碳化硅场效应管（MOSFET）具备49安培的电流承载能力（ID），以及650伏特的最大阻断电压（VDSS）。其导通状态下的低电阻特性（RDSON为33毫欧）使其在高频开关应用中表现出色。此器件支持从-5伏到@0伏的栅源电压（VGS），适用于需要快速切换和能量效率的关键电路设计中，如高性能计算硬件或消费电子产品中的电源管理模块。
