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这款碳化硅场效应管（MOSFET）具备N沟道结构，最大导通电流（ID）可达36A，在断态下能承受最高1200V（VDSS）的电压。其导通电阻（RDSON）低至80毫欧，有助于减少导通状态下的能量损耗。该器件工作在最高20V的栅源电压（VGS）下，适用于需要高电压、大电流及高效能的应用场景中，如电源转换或电力管理等领域。