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这款碳化硅场效应管（MOSFET）属于N沟道类型，具有49A的连续漏极电流（ID）处理能力，在阻断电压（VDSS）方面能达到650V。其导通电阻（RDSON）仅为33毫欧，这表明在导通状态下，该器件能有效降低电力损耗。栅源电压（VGS）范围从-5V到@0V，确保了宽泛的工作条件下的可靠性。这些特性使其适用于需要高效能、高耐压与快速开关特性的电子设备中，特别是在要求严苛的电源管理和转换应用中表现出色。
