-------<点击了解更多 + 购买>-------
该款N沟道碳化硅场效应管（MOSFET）拥有120A的连续漏极电流（ID/A），并且设计有650V的漏源击穿电压（VDSS/V）。其导通电阻（RDSON/mR）低至15毫欧姆，在15V的栅源电压（VGS/V）下表现出色。凭借其低损耗特性，该MOSFET适用于高功率密度转换应用，例如高性能的开关模式电源、不间断电源系统等，能够在高频开关应用中实现高效能和热稳定性，从而优化电力转换效率。
