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这款N沟道碳化硅场效应管（MOSFET）具备5A的连续漏极电流（ID/A），最大可承受1700V的漏源击穿电压（VDSS/V）。其导通电阻（RDSON/mR）为1000毫欧姆，在栅源电压（VGS/V）为20V时提供稳定的性能。此器件适用于需要高电压隔离与快速开关特性的电力转换解决方案中，如高性能的电源管理系统或便携式电子设备的充电解决方案，能够在保证低能耗的同时，支持更紧凑的设计要求。
