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这款碳化硅场效应管（MOSFET）属于N沟道类型，其最大导通电流（ID/A）可达29A，在保证安全运行的同时，能够承受的最大漏源电压（VDSS/V）为650V。该元件具有较低的导通电阻（RDSON/mR），仅为60毫欧姆，在高频率开关应用中可以减少能量损耗。栅源电压（VGS/V）绝对值范围为15V，确保了良好的驱动兼容性。此MOSFET适用于需要高效能和可靠性的多种电路设计场景。