SCT20N170_TO-247_碳化硅场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)

  • 产品参数
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品牌: HXY MOSFET(华轩阳电子)
封装: TO-247
类别: 碳化硅场效应管(MOSFET)
最小包装: 30/管装
参数1: 电流ID:72A
参数2: 电压VDSS:1700V
参数3: RDON:45mR
参数4: 沟道类型:N
标价: 欢迎咨询
服 务 商: 深圳市华轩阳电子有限公司
会员等级: 会员
联 系 人: 张婉仪
联系电话: 189 2937 3249
联系地址: 深圳市福田区中航路7-1号鼎诚国际大厦南座2013
产品介绍

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这款N沟道碳化硅场效应管具有卓越的性能参数,最大漏极电流ID为72A,能够支持高负载应用。其漏源电压VDSS高达1700V,适用于需要承受高压的工作环境。导通电阻RDON仅为45mΩ,有助于降低功耗并提高效率。栅源电压VGS范围在20V内,确保了良好的驱动兼容性。该器件适合于设计高效、紧凑且可靠的电源管理系统,以及在要求严格温度和频率特性的电子设备中使用。

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