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这款N沟道碳化硅场效应管（MOSFET）具有29安培的连续排水电流（ID），并且设计有650伏特的最大漏源电压（VDSS）。在栅源电压（VGS）为15伏特时，该器件展现出60毫欧的低导通电阻（RDSON）。这些特性使其成为高频开关应用的理想选择，适用于需要高效能及可靠性的电子设备，例如便携式充电装置或消费电子产品中的电源管理系统，有助于提升整体效率并减少能量损耗。
