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这款N沟道碳化硅场效应管具有1700V的高漏源电压VDSS，适用于需要耐高压的应用场合。其最大漏极电流ID为5A，适合中低功率电路需求。导通电阻RDON为1000mΩ，虽然相对较高但保证了在特定条件下的稳定工作。栅源电压VGS范围达到20V，确保良好的驱动兼容性。该MOSFET特别适合于对温度稳定性及开关速度有较高要求的电源转换、逆变器以及其他高性能电子设备的设计。