-------<点击了解更多 + 购买>-------
这款碳化硅场效应管（MOSFET）具备49A的连续排水电流（ID），以及650V的最大漏源电压（VDSS），能够确保在高压环境中稳定工作。该器件导通电阻（RDSON）仅为33毫欧，在导通状态下能有效降低功耗。其栅源电压（VGS）阈值范围从-5V到@0V，提供了宽泛的控制信号兼容性。作为N沟道类型，此MOSFET适用于高频开关电源、电信设备以及其他需要高性能、高效率转换的应用中。
