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该款N沟道碳化硅场效应管（MOSFET）设计有100A的额定电流（ID），可承受最大1200V的漏源电压（VDSS）。其显著特点是拥有低至21毫欧的导通电阻（RDON），这有助于大幅度减少电力损耗，增强系统效率。此元件适用于多种高频率开关应用场合，比如便携式电子设备的充电解决方案，或是服务器端的电源供应单元，均能体现出其在高压高频环境下的优良表现。
