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这款N沟道场效应管（MOSFET）具有稳定的电气特性，其最大漏源电流（ID）为17安培，能够在高频率和高速切换的应用中保持良好的性能。在10伏特的测试条件下，导通电阻（RDSON）仅为80毫欧姆，有助于减少能量损耗。器件的最大漏源电压（VDSS）为100伏特，表明它可以安全地工作在较高的电压环境下。栅源电压（VGS）的最大额定值为20伏特，便于驱动控制。此MOSFET适用于消费电子设备中的电源转换和负载开关等场合，如个人电子装置及家用电器的电路保护与效率提升。
