HXYJ11N65D_TO-252-2L_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)

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品牌： HXY MOSFET(华轩阳电子)
封装： TO-252-2L
类别： 场效应管(MOSFET)
最小包装： 2500/圆盘
参数1： 电流ID:22A
参数2： 电压VDSS:650V
参数3： RDON:380mR
参数4： 沟道类型:N
标价： 欢迎咨询
服 务 商： 深圳市华轩阳电子有限公司
会员等级： 会员
联 系 人： 张婉仪
联系电话： 189 2937 3249
联系地址： 深圳市福田区中航路7-1号鼎诚国际大厦南座2013
产品介绍

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【HXYJ11N65D 场效应管(MOSFET)】采用TO-252-2L封装，支持22A的最大漏极电流和650V的漏源电压，导通电阻为380mΩ。此N沟道MOSFET在30V栅源电压下具有优良的开关性能和耐高压特性，适用于各种高效率电源转换和电路控制应用，确保电路运行的稳定性和可靠性。

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