HXY30G25DF_DFN3X3B-8L_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)

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品牌： HXY MOSFET(华轩阳电子)
封装： DFN3X3B-8L
类别： 场效应管(MOSFET)
最小包装： 5000/圆盘
参数1： 电流ID:25A
参数2： 电压VDSS:30V
参数3： RDON:12mR
参数4： 沟道类型:N+P
标价： 欢迎咨询
服 务 商： 深圳市华轩阳电子有限公司
会员等级： 会员
联 系 人： 张婉仪
联系电话： 189 2937 3249
联系地址： 深圳市福田区中航路7-1号鼎诚国际大厦南座2013
产品介绍

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【HXY30G25DF 场效应管(MOSFET)】采用DFN3X3-8L封装，支持25A的最大漏极电流和30V的漏源电压，导通电阻低至12mΩ。此N沟道MOSFET在20V栅源电压下具有优异的开关特性和低损耗，适用于各种电源管理和信号处理电路，确保电路的高效与稳定运行。

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