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HXY100N04NF 场效应管 (MOSFET)，采用 DFN5X6-8L 封装，提供 100A 的连续漏极电流 (ID) 和 40V 的漏源极击穿电压 (VDSS)。其导通电阻 (RDON) 低至 2.8mΩ，有助于显著降低功耗，提高效率。支持 ±20V 的栅源电压 (VGS)，确保在多种电路中的稳定性能。N 沟道设计，适用于广泛的开关控制和电路保护应用。选择 HXY100N04NF，为您的项目提供高性能的解决方案。
