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HXY18N20D 场效应管 (MOSFET)，采用 TO-252-2L 封装，提供 18A 的连续漏极电流 (ID) 和 200V 的漏源极击穿电压 (VDSS)。具备 180mΩ 的导通电阻 (RDON)，有效减少能量损耗。支持 ±20V 的栅源电压 (VGS)，确保在不同电路条件下的稳定性和可靠性。N 沟道设计，适用于多种开关控制和电路保护应用。选择 HXY18N20D，为您的项目提供强大的性能支持。
