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HXY6P04MI 场效应管 (MOSFET)，采用 SOT-23-3L 封装，提供 6A 的连续漏极电流 (ID) 和 40V 的漏源极击穿电压 (VDSS)。具备 34mΩ 的导通电阻 (RDON)，有助于降低能耗，提高效率。支持 ±20V 的栅源电压 (VGS)，确保在不同电路条件下的稳定性和可靠性。P 沟道设计，适用于多种开关控制和电路保护应用。选择 HXY6P04MI，为您的项目提供高效能保障。
