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HXY150N03D 场效应管 (MOSFET)，采用 TO-252-2L 封装，提供 150A 的连续漏极电流 (ID) 和 30V 的漏源极击穿电压 (VDSS)。具备 1.5mΩ 的低导通电阻 (RDON)，有助于显著降低功耗，提高效率。支持 ±20V 的栅源电压 (VGS)，确保在多种电路中的稳定性能。N 沟道设计，适用于广泛的开关控制和电路保护应用。选择 HXY150N03D，为您的项目提供高性能保障。
