HXY50N20P_TO-220C_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)

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品牌： HXY MOSFET(华轩阳电子)
封装： TO-220C
类别： 场效应管(MOSFET)
最小包装： 50/管装
参数1： 电流ID:50A
参数2： 电压VDSS:200V
参数3： RDON:50mR
参数4： 沟道类型:N
标价： 欢迎咨询
服 务 商： 深圳市华轩阳电子有限公司
会员等级： 会员
联 系 人： 张婉仪
联系电话： 189 2937 3249
联系地址： 深圳市福田区中航路7-1号鼎诚国际大厦南座2013
产品介绍

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【HXY50N20P 场效应管(MOSFET)】采用TO-220C封装，支持50A的最大漏极电流和200V的漏源电压，导通电阻为50mΩ。此N沟道MOSFET在20V栅源电压下具有出色的开关性能和低损耗特性，广泛适用于电源转换、电路控制等应用，确保高效能与高可靠性。

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