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HXY3P06MI 场效应管 (MOSFET)，采用 SOT-23-3L 封装，提供 3A 的连续漏极电流 (ID) 和 60V 的漏源极击穿电压 (VDSS)。具备 115mΩ 的导通电阻 (RDON)，有助于降低功耗，提高效率。支持 ±20V 的栅源电压 (VGS)，确保在多种电路中的稳定性能。P 沟道设计，适用于广泛的开关控制和电路保护应用。选择 HXY3P06MI，为您的项目提供可靠的解决方案。
