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【HXY4611S 场效应管(MOSFET)】采用SOP-8封装，提供高效能的开关特性与低导通电阻（25mΩ），支持最大漏极电流7A及最大漏源电压30V。其增强型N沟道设计，确保了在20V栅源电压下的卓越性能。适用于各种电子设备中的电源管理与信号转换应用，满足精密电路设计需求。