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HXY3415BI 场效应管 (MOSFET)，采用 SOT-23 封装，提供 5A 的连续漏极电流 (ID) 和 20V 的漏源极击穿电压 (VDSS)。其导通电阻 (RDON) 为 30mΩ，有助于减少功率损耗。±10V 的栅源电压 (VGS) 范围，确保在各种电路中稳定运行。P 沟道设计，适用于广泛的应用场合。选择 HXY3415BI，享受其带来的高效与可靠。