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HD6359 场效应管 (MOSFET)，采用 TO-252-2L 封装，提供 70A 的连续漏极电流 (ID) 和 30V 的漏源极击穿电压 (VDSS)。其导通电阻 (RDON) 低至 7mΩ，有助于降低能耗，提高效率。支持 ±20V 的栅源电压 (VGS)，确保在多种电路配置下的稳定性和可靠性。P 沟道设计，适用于各种精密控制和开关应用。选择 HD6359，为您的项目提供高性能保障。
