-------<点击了解更多 + 购买>-------

这款N沟道场效应管（MOSFET）设计有4A的额定电流ID，能够承受高达650V的漏源电压VDSS，适用于需要高压处理的电子装置。其拥有2.4Ω的导通电阻RDSS，在确保低能耗的同时，减少了热生成，优化了设备性能。该MOSFET兼容±30V的栅源电压VGS，增加了在复杂电路环境中的适用性。它可以在各种消费电子产品中找到用途，例如适配器、充电器以及家用电器的电源控制部分，作为关键的开关或稳压组件。