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HXY30N03D 场效应管 (MOSFET)，采用 TO-252-2L 封装，提供 30A 的连续漏极电流 (ID) 和 30V 的漏源极击穿电压 (VDSS)。具备 9mΩ 的低导通电阻 (RDON)，可有效减少能量损失，提高转换效率。支持 ±20V 的栅源电压 (VGS)，确保在不同的电路应用中保持稳定性能。N 沟道设计，适用于多种电路保护和开关控制场景。选择 HXY30N03D，为您的项目提供高效能解决方案。
