-------<点击了解更多 + 购买>-------

HXY70N04NF 场效应管 (MOSFET)，采用紧凑的 DFN5X6-8L 封装，提供 55A 的连续漏极电流 (ID) 和 40V 的漏源极击穿电压 (VDSS)。该器件具有仅 7.5mΩ 的低导通电阻 (RDON)，有效降低能量损耗，提升系统效率。支持 ±20V 栅源电压 (VGS)，确保在不同应用场景下稳定运行。HXY70N04NF 是高效率电路设计的理想选择。