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HXY15N10D 场效应管 (MOSFET)，采用 TO-252-2L 封装，具有出色的电气特性。此款 N 沟道 MOSFET 支持高达 15A 的连续漏极电流 (ID) 和 100V 的漏源极击穿电压 (VDSS)，同时拥有 100mΩ 的低导通电阻 (RDON)，确保高效能表现。其栅源电压 (VGS) 范围为 ±20V，适合用于各种精密电路设计中的开关和信号放大。选择 HXY15N10D，体验高品质电子组件带来的便捷与可靠。
