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HXY60N02D 场效应管 (MOSFET)，采用 TO-252-2L 封装，提供 60A 的连续漏极电流 (ID) 和 20V 的漏源极击穿电压 (VDSS)。其导通电阻 (RDON) 低至 6mΩ，有助于显著降低功耗，提高效率。支持 ±12V 的栅源电压 (VGS)，确保在各种电路中的稳定性能。N 沟道设计，适用于广泛的开关控制和电路保护应用。选择 HXY60N02D，为您的项目提供高效能的解决方案。
