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HXY3134KI 场效应管 (MOSFET)，采用微型 SOT-723 封装，提供 1.2A 的连续漏极电流 (ID) 和 20V 的漏源极击穿电压 (VDSS)。其导通电阻 (RDON) 为 150mΩ，适合低功耗应用。±12V 的栅源电压 (VGS) 范围，保证了在多种电路配置下的兼容性与稳定性。N 沟道设计，是小型化和便携式设备的理想选择。选择 HXY3134KI，让您的设计更加灵活高效。
