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HXY80N06BD 场效应管 (MOSFET)，采用 TO-252-2L 封装，提供 80A 的连续漏极电流 (ID) 和 60V 的漏源极击穿电压 (VDSS)。其导通电阻 (RDON) 低至 6.5mΩ，有效减少热量产生，提高工作效率。±20V 的栅源电压 (VGS) 范围，确保在多种电路配置中稳定运行。N 沟道设计，适用于广泛的电路保护和开关控制应用。选择 HXY80N06BD，为您的项目增添高性能保障。
