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HXY5P03SI 场效应管 (MOSFET)，采用 SOT-89 封装，提供 5A 的连续漏极电流 (ID) 和 30V 的漏源极击穿电压 (VDSS)。具备 50mΩ 的导通电阻 (RDON)，有助于减少功耗，提高系统效率。支持 ±12V 的栅源电压 (VGS)，确保在不同应用场景下的稳定性能。P 沟道设计，适用于多种电路保护和开关控制应用。选择 HXY5P03SI，为您的项目提供可靠的解决方案。
