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HXY4953AS 场效应管 (MOSFET)，采用 SOP-8 封装，提供 5.3A 的连续漏极电流 (ID) 和 30V 的漏源极击穿电压 (VDSS)。具备 35mΩ 的导通电阻 (RDON)，有助于降低能耗，提高效率。支持 ±20V 的栅源电压 (VGS)，确保在多种电路配置下的稳定性和可靠性。PP 类型设计，适用于各种精密控制和开关应用。选择 HXY4953AS，为您的项目提供高效能的解决方案。
