HCG65140DBA_DFN5X6E-8L_氮化镓晶体管(GaN HEMT)_HXY MOSFET(华轩阳电子)

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品牌： HXY MOSFET(华轩阳电子)
封装： DFN5X6E-8L
类别： 氮化镓晶体管(GaN HEMT)
最小包装： 2500/圆盘
参数1： 电流ID:17A
参数2： 电压VDSS:650V
参数3： RDON:100mR
参数4： 沟道类型:N
标价： 欢迎咨询
服 务 商： 深圳市华轩阳电子有限公司
会员等级： 会员
联 系 人： 张婉仪
联系电话： 189 2937 3249
联系地址： 深圳市福田区中航路7-1号鼎诚国际大厦南座2013
产品介绍

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这款氮化镓晶体管为N型，电流为17A，电压650V。适用于各类电子产品，在高电压环境下能稳定承载较大电流。具有高效能、低损耗等特性，可提升电子产品的性能和稳定性，满足特定功率需求场景。

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