HXY2301I-B_SOT-23_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)

  • 产品参数
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品牌: HXY MOSFET(华轩阳电子)
封装: SOT-23
类别: 场效应管(MOSFET)
最小包装: 3000/圆盘
参数1: 电流ID:2.3A
参数2: 电压VDSS:20V
参数3: RDON:120mR
参数4: 沟道类型:P
标价: 欢迎咨询
服 务 商: 深圳市华轩阳电子有限公司
会员等级: 会员
联 系 人: 张婉仪
联系电话: 189 2937 3249
联系地址: 深圳市福田区中航路7-1号鼎诚国际大厦南座2013
产品介绍

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这款场效应管采用P型设计,适用于精确控制电流和电压的场景。其最大电流承载能力为2.3A,耐压高达20V,内阻典型值为120mR。在VGS为12V时表现优异,确保了稳定的性能表现。适合对电子系统中的信号放大与开关控制有需求的场合。

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