HXY4N65F_TO-220F_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)

  • 产品参数
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品牌： HXY MOSFET(华轩阳电子)
封装： TO-220F
类别： 场效应管(MOSFET)
最小包装： 50/管装
参数1： 电流ID:4A
参数2： 电压VDSS:650V
参数3： RDON:2400mR
参数4： 沟道类型:N
标价： 欢迎咨询
服 务 商： 深圳市华轩阳电子有限公司
会员等级： 会员
联 系 人： 张婉仪
联系电话： 189 2937 3249
联系地址： 深圳市福田区中航路7-1号鼎诚国际大厦南座2013
产品介绍

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这款N型场效应管具有4A的电流承载能力，最大承受电压为650V。其内阻典型值为2400mΩ，VGS为30V。适用于需要高电流、高电压且对效率有要求的应用场景，例如电源管理、马达驱动等，确保系统的稳定运行与高效性能。

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