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本款IGBT管/模块具备50A的集电极电流（Ic）和1200V的集射极击穿电压（Vces），适用于中高功率电路应用。其集射极饱和电压（VCE(sat)）为1.9V，在导通状态下可保持较低的能量损耗。内置二极管支持50A的正向电流（IF），正向压降（Vf）为2.7V，具有良好的热稳定性和开关性能，适用于多种高性能电力电子系统的设计与应用。
